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[期刊论文] 作者：王明珠,吕长志,
来源：北京工业大学学报 年份：1993
描述了功率晶体管峰值结温电学测量技术中采用的三维两层结构模型，给出其解析解及计算程序框图。用此模型将电学测量的平均结温修正为峰值结温，修正可达１０～３０℃。以红外微热像仪测量......
[期刊论文] 作者：谢妍,吕长志,,
来源：七彩语文(写字与书法) 年份：2017
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[期刊论文] 作者：冯士维,吕长志,
来源：半导体学报 年份：1994
本文对ＣａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了温度与分析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｔ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增......
[期刊论文] 作者：吕长志,亢宝位（译）,
来源：电力电子 年份：2006
为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式......
[期刊论文] 作者：曾庆明,吕长志,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
叙述了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导￣１５７ｍｓ／ｍｍ，由Ｓ参数测量扒出器件的截止频率ｆｒ和最高振荡频率ｆｍａｘ分别为１２ＧＨｚ和２４ＧＨｚ。......
[期刊论文] 作者：冯士维,吕长志,
来源：电子器件 年份：1997
本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置，并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论通过对半导体ＰＮ结温度系数的研究发现：温度系数的测定准确性主要......
[会议论文] 作者：吕长志,莫郁薇,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：杨娟,张小玲,吕长志,,
来源：微电子学 年份：2012
研究了一种新型GaN基HEMT结构,即InAlN/AlN/GaN异质结层结构,并对其直流特性以及频率特性进行了仿真。通过理论分析,结合TCAD软件,与常规AlGaN/AlN/GaNHEMT进行对比。对栅长...
[会议论文] 作者：王羽,张小玲,吕长志,
来源：中国仪器仪表学会第九届青年学术会议 年份：2007
研究了Y型波导调制器的高温存储特性。经过120h的高温存储实验和后期的数据整理及分析,结果显示插入损耗变化范围在0.15dB至0.77dB,有随存储时间增加而增大的趋势,拟合增长率...
[会议论文] 作者：吕长志,王明珠,桂翔,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份：1990
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[会议论文] 作者：张小玲,谢雪松,吕长志,
来源：2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2011
本文对集成稳压器的总剂量效应的失效模式和失效机理进行了简单分析，器件在总剂量辐照之后，基准电压下降明显导致输出稳压失效，引起集成稳压器失效的模式还有误差放大器的动态输出范围下降。分析失效机理发现，辐射引起在晶体管基射结上方隔离钝化层SiO2中产生氧化物......
[期刊论文] 作者：段毅,马卫东,吕长志,
来源：半导体技术 年份：2004
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程...
[会议论文] 作者：张喆,吕长志,李志国,
来源：第十二届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2007
本文介绍了开关电源的发展方向和相关技术,对这些技术的发展进行了展望。同时对开关电源的可靠性问题进行了较详细的讨论。...
[期刊论文] 作者：张小玲,张健,谢雪松,吕长志,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2011
本文建立了一种新的IGBT三维热模型并运用基于有限元法的分析软件ANSYS软件对其热分布进行了模拟分析。结果表明由于单元的热耦合作用,原包间距在10um时比较合适;在相同的功...
[期刊论文] 作者：李志国,郭春生,吕长志,
来源：第十三届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2009
本文提出了电子元器件一种新的快速评价方法(CETRM),具有快速、准确、成本低、效率高等优点.能快速准确地确定元器件退化的失效敏感参数、退化机理；可对单样品求出与失效机理...
[期刊论文] 作者：范宇,谢雪松,吕长志,张小玲,,
来源：现代电子技术 年份：2011
给出一种基于LVDT的数字解调系统。为了准确地测量铁芯的位置，提出了以基于FPGA的嵌入式系统平台的数字解调系统。与以往方法不同的是不仅对所得次级线圈信号采用加减法，还采用......
[期刊论文] 作者：张小玲,谢雪松,武利,吕长志,
来源：科技创新导报 年份：2010
本文主要针对大学中的自学型新教学模式下的考核方式进行初步探索。在初次教学中,采用小组的方式完成指定内容的自学并将各组选代表将自学内容进行讲述,之后是提问环节和同学...
[期刊论文] 作者：李菲,吕长志,段毅,张小玲,李颖,
来源：半导体技术 年份：2004
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较.发现随着温度上升,AlGaN SBD的势垒高度...
[期刊论文] 作者：郭敏,吕长志,谢雪松,张小玲,
来源：微电子学 年份：2004
利用Matlab编程工具,提出温度作为加速应力的序加试验数据的改进处理方法.改进后的方法采用序进温度应力加速样品老化,基于参数退化数据提取失效激活能和寿命外推所需要的参...
[期刊论文] 作者：Scott Pearson,Gary Dolny,吕长志,亢宝位,,
来源：电力电子 年份：2006
为了低损耗开关模式电源(SMPS)结构的最佳化,硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导,并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性...
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