搜索筛选:
搜索耗时0.5228秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 182 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：张维连,刘彩池,王志军,冀志江,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＩｍｐｕｒｉｔｙＧｅｒｍａｎｉｕｍｏｎＰｒｏｐｅｒｔｙｏｆＣＺ－ＳｉＺｈａｎｇＷｅｉｌｉａｎ；ＬｉｕＣａｉｃｈｉ；ＷａｎｇＺｈｉｊｕｎａｎｄＪｉＺｈｉｊｉａｎｇ（张维连）（刘彩池）...
[期刊论文] 作者：学,
来源：河北工业大学学报 年份：2005
受河北省教育厅资助，由我校刘彩池教授，刘淑英讲师等人承担的重掺杂硅单晶中氧的热行为及内吸除效应科研项目在天津于2004年9月25日通过鉴定．...
[期刊论文] 作者：,
来源：河北工业大学学报 年份：1999
河北省自然科学基金项目（基金号：５９６０３１）课题“重掺锑硅单晶中氧沉淀行为及机制研究”，日前通过河北省科委组织的技术鉴定．该课题是由刘彩池副教授任主研，李养贤教授、任丙彦教授、鞠玉林...
[学位论文] 作者：乔治,刘彩池,
来源：河北工业大学 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：崔德升,刘彩池,
来源：河北工业大学学报 年份：1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强......
[期刊论文] 作者：张红娣,刘彩池,
来源：半导体技术 年份：2004
对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一领域...
[期刊论文] 作者：刘彩池,李养贤,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[会议论文] 作者：刘彩池,徐岳生,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[期刊论文] 作者：梁李敏, 李英, 刘彩池,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：任丙彦,刘彩池,等,
来源：人工晶体学报 年份：2000
为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入，对常规的406mm（16英寸）热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统，使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数......
[期刊论文] 作者：乔治,候哲哲,刘彩池,
来源：半导体技术 年份：2005
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用快速退火消除空洞...
[期刊论文] 作者：李伟,刘彩池,徐岳生,
来源：科学通报 年份：1992
一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中...
[期刊论文] 作者：张帷,刘彩池,郝秋艳,,
来源：半导体技术 年份：2008
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层......
[期刊论文] 作者：张雯,刘彩池,王海云,
来源：半导体学报 年份：2005
采用回转振荡法，在向导电流体所在空间引入水平可调永磁磁场的条件下，测量研究了导电流体——液态汞（20℃）的粘度．结果表明，液态汞的粘度随磁场强度的增大而增加，二者呈光滑的抛物线......
[期刊论文] 作者：李养贤,鞠玉林,刘彩池,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷，利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用，强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。The formation mechanism of...
[期刊论文] 作者：刘彩池, 李养贤, 徐岳生,,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[期刊论文] 作者：乔治,刘彩池,史严,张彦立,,
来源：河北工业大学学报 年份：2005
概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表...
[期刊论文] 作者：乔治,刘彩池,张彦立,史严,,
来源：半导体技术 年份：2006
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPDs）是否属于空洞型缺陷，目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现，FPDs外形如抛物线，在硅片中旱内高外低分......
[期刊论文] 作者：董利菲,郝秋艳,刘彩池,,
来源：半导体技术 年份：2008
将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,...
[会议论文] 作者：徐岳生,李养贤,刘彩池,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
...
相关搜索：
