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[期刊论文] 作者：,
来源：江西建材 年份：2019
海螺集团副总经理何承发、海螺...
[期刊论文] 作者：,
来源：水泥助磨剂 年份：2013
集团总经理助理、海螺水泥副总经理汪鹏飞、何承发及有关部门负责人刘田田、许越、张强陪同访问；北方重工集团董事长耿洪...
[期刊论文] 作者：何承发,,
来源：中国工业和信息化 年份：2020
水泥行业目前正处于新旧动能更迭的关键阶段,行业自动化、智能化和信息化水平参差不齐,亟须采用融合工艺机理的智能化和信息化技术,推动生产、管理和营销模式从局部、粗放向...
[期刊论文] 作者：何承发,王倩,
来源：核技术 年份：1997
采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序，计算了＾６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组......
[期刊论文] 作者：何承发, 肖杰玉,,
来源：新世纪水泥导报 年份：2017
摘要海螺川崎节能公司针对熟料的性质,经过多次实验,结合CK450原料磨的实际应用情况,开发了CK水泥立磨.实践证明,其产品性能在水泥颗粒形状、水泥粒度分布、标准稠度用水量、...
[期刊论文] 作者：何承发,巴维真,
来源：微电子学与计算机 年份：1994
本文建立了以ＰＣ２８６微机为核心的量热计数采集和处理系统，给出了修正量热计热损失的计算公式，改变了传统的量热计测量方法。...
[期刊论文] 作者：何承发,巴维真,
来源：核技术 年份：1997
设计了一种多层平行板金电离室，应用测量法测量了＾６０Ｃｏγ射线在金与低原子序数材料交界时界面及金中的剂量分布。...
[期刊论文] 作者：何承发,周光文,
来源：核技术 年份：1991
损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究...
[期刊论文] 作者：荀明珠, 何承发, 郑玉展,,
来源：载人航天 年份：2019
针对空间辐射环境中银河宇宙射线重离子的屏蔽防护问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟330MeV/n12C粒子入射铝、聚乙烯、水、液态氢4种屏蔽材料,分析了12C粒子在4种屏...
[期刊论文] 作者：荀明珠, 何承发, 郑玉展,,
来源：载人航天 年份：2018
为了研究地球空间辐射环境中高能质子的屏蔽问题,使用基于蒙特卡罗方法的Geant4软件模拟了100MeV质子入射相同面密度的Al、PE、水三种屏蔽材料,通过分析射线穿过屏蔽材料后在...
[期刊论文] 作者：陈朝阳,巴维真,何承发,
来源：核技术 年份：2004
研究了金箔激活法和热释光法测量热中子注量率的方法,并对中国原子能研究院101重水反应堆某热中子通道热中子注量率的大小进行了测量,结果表明两种方法测量结果一致性很好,偏...
[会议论文] 作者：陈朝阳,巴维真,何承发,
来源：中国科协2005年学术年会——核科技、核应用、核经济论坛 年份：2005
介绍了用6LiF、7LiF热释光剂量计配对测量中子、γ混合场的方法,用标准137Cs源γ射线对6LiF、7LiF进行刻度了γ响应刻度,用标准Am-Be中子源对6LiF、7LiF进行了热中子响应刻度...
[会议论文] 作者：吾勤之,何承发,王倩,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
研制了薄壁平行板透射电离室，研究了透射电离室的特性，用透射电离室测量静电加速器电子束在铝中的透射分布，得到不同高压下电子束在铝中的外推射程，进而确定电子束能量。...
[会议论文] 作者：吾勤之,何承发,王倩,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
研制了薄膜平行板透射电离室，研究了透射电离室的特性。透射电离室测量静电加速器电子束在铝中的透射分布，得到不同高压下电子束在铝中的外推射程，进而确定电子束能量。...
[期刊论文] 作者：王倩,吾勤之,何承发,
来源：原子能科学技术 年份：1999
研制了薄壁平行板透射电离室，研究了透射电离室的特性。用透射电离室测量静电加速器电子束在铝中的透射分布，得到不同高压下电子束在铅中的外推射程，进而确定电子束能量。The......
[期刊论文] 作者：何承发,巴维真,陈朝阳,
来源：核技术 年份：2001
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明 ,对镀金Kovar合金封装的器件 ,在背向辐照的最劣...
[会议论文] 作者：陈朝阳,何承发,巴维真,
来源：第11届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2002
研究了金箔激活法和热释光法测量热中子注量率的方法,并对中国原子能研究院101重水反应堆某热中子通道热中子注量率的大小进行了测量,结果表明两种方法测量结果一致性很好,偏差仅为8.8﹪.......
[期刊论文] 作者：何承发,周光文,魏锡智,
来源：核技术 年份：1991
损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究...
[期刊论文] 作者：马函,孙静,何承发,荀明珠,
来源：原子能科学技术 年份：2021
通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应.实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si).采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分离,对高温下辐照响应的微观......
[期刊论文] 作者：马函,孙静,何承发,荀明珠,
来源：核技术 年份：2022
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用60Co γ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和60Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验.采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)......
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