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用MOCVD方法在p型单晶Si（100）基片上外延SiC层，再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜，制备出ZnO／SiC／Si异质结构，用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别，研究了这种异质结构的特性．结果表明，在Si（100）基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC（100）层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜，因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．