【摘 要】
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利用高真空蒸发工艺,在不锈钢带为衬底的非晶硅(简称a-Si)太阳电池透明电极ITO膜表面,淀积一层λ/4光学厚度的介质减反膜,可以使入射光通过ITO薄膜时达到或接近零反射,从而提
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
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利用高真空蒸发工艺,在不锈钢带为衬底的非晶硅(简称a-Si)太阳电池透明电极ITO膜表面,淀积一层λ/4光学厚度的介质减反膜,可以使入射光通过ITO薄膜时达到或接近零反射,从而提高了ITO/n~+ip~+a-Si/SS太阳电池的转换效率,提高的幅度最高可达24％。
Using a high vacuum evaporation process, a layer of λ / 4 optical thickness antireflection film is deposited on the surface of a stainless steel (ITO) transparent film of amorphous silicon (a-Si) solar cell substrate so that incident light can pass through ITO thin film at or near zero reflectivity, thereby increasing the conversion efficiency of ITO / n ~ + ip ~ + a-Si / SS solar cells, the maximum increase of up to 24%.
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