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采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构.用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿方向生长.β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成.β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰.
Fe催化生长β-SiC纳米分支结构
【摘 要】
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采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构.用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿方向生长.β-Si
【机 构】
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渤海大学新能源学院 锦州 121013
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2018年9期
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