【摘 要】
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提出了一种适用于射频—微机电系统(RF-MEMS)滤波器的高性能接口放大电路。利用微纳工艺制备了相对带宽为1.4%、中心频率为73.02 MHz的硅基MEMS滤波器,针对其高阻抗、高插入
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院大学,北京信息科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目(61734007),国家自然科学基金面上资助项目(61874116),北京信息科技大学2018年度实培计划项目(71B1910806)
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提出了一种适用于射频—微机电系统(RF-MEMS)滤波器的高性能接口放大电路。利用微纳工艺制备了相对带宽为1.4%、中心频率为73.02 MHz的硅基MEMS滤波器,针对其高阻抗、高插入损耗特性,设计了基于运算放大器的低噪声、高增益的两级放大电路和阻抗匹配电路。仿真结果表明:接口电路对高频的MEMS滤波器微弱电流信号具有良好的放大效果,增益可达62.75d B,噪声系数为3.35d B,S22反射系数为-46.91 d B,使RF-MEMS滤波器的插入损耗降低至0.56 d B。测试与PCB板级电路级联的
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