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以Spice电路模拟的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等效电路优化模型,用压控电阻(VCR)等效IGBT的宽基区电导调制效应取得了很好的效果.基于器件的参数实测值,通过物理方程式,精确推导出器件的主要原始设计参数.用Spice的LEvEL-8模型,以确保模型的精确性和收敛性,从而获得模拟与实验很好符合的结果.