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为了研究毫秒量级脉宽激光与半导体材料的相互作用机理，本文建立了一维有限元模型。对长脉冲激光与硅相互作用的气化现象进行了数值模拟。在计算中。利用热焓法处理了固一液相变过程。并根据热流方程考虑了气化产生的能量损失。在入射激光功率密度相同的条件下，定量地描绘了不同脉宽激光辐照材料的温度分布，前表面的温度历史，以及气化速度和气化深度，并估算出气化深度为0．5μm时，物质蒸汽使激光产生光学自聚焦现象的激光功率阈值仅为0．2W，此阈值远小于长脉冲激光的功率。因此，在长脉冲激光与硅材料相互作用过程中。气化的物质蒸汽会使后续激光产生光学自聚焦现象，得到的结果可为长脉冲激光的应用提供理论依据。