基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

来源 :电子与信息学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hr2037283

【摘要】

：

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.

【作者】

：

叶勇亢勇宋志棠陈邦明

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新储集成电路有限公司

【出处】

：

电子与信息学报

【发表日期】

：

2017年06期

【关键词】

：

掩模只读存储器二极管阵列高密度低功耗双沟槽隔离 Mask Read-Only Memory （ROM） Diode array High-densi

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