论文部分内容阅读
采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约35％．并明显减少方程的求解时间。
用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
【摘 要】
：
采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明，这种方法可以降低方程
【机 构】
：
五邑大学信息学院,江南大学信息工程学院,东莞理工学院电子工程系
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
2008年4期
其他文献
如春风，如雨露，如阳光。30年来，作为改革开放的“窗口”和“排头兵”，中国的经济特区创造了举世瞩目的奇迹。从这里，中国向世界敞开了博大的胸怀；从这里，中国掀起了改革和腾飞的巨澜
2008年欧洲微波周（European Microwave Week 2008（EuMW2008））于2008年10月27日至10月31日在荷兰首都阿姆斯特丹的RAI展览与会议中心举行。它是仅次于国际微波会议（MTT-S）的微波界的
怀海禅师是唐代著名的佛教改革家。他一生刻苦研究禅理，名声远扬，四方僧众慕名云集，因为精通大乘教派理论，每与僧众说法，怀海禅师总能以理服人。 有一次，怀海禅师看到一個僧人正在叫他的小徒弟抄经，而且要把《韦陁典》足足抄上一百遍。这个小徒弟看起来似乎并不识字，也不会写字，他正照着经书，艰难地描摹着。“他既不识字，何以做此教导？”怀海禅师上前问道。僧人见是怀海禅师，施礼作答：“不识字并不妨碍抄经，虽然会
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H—SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源，并计人界面态
上個世纪20年代，散文家陈西滢从英国获博士学位归国，在北京大学任外文系教授。1924年，在胡适的支持下，陈西滢与徐志摩等人创办《现代评论》杂志，任文艺部主编，并在该刊开辟《闲话》专栏，发表了许多杂文。 有一天下午，陈西滢来到办公室时面带怒色，同事们问他怎么了？陈西滢说因为杂志的印刷问题，他与印刷厂的负责人发生了争执，对方不仅出言不逊，而且蛮不讲理，气得陈西滢说不出话来。“他就是仗着有点势力，才敢