利用脑磁图技术探讨精神分裂症患者听感觉门控抑制功能的神经机制。

对20例精神分裂症患者(患者组)和20名年龄、性别、受教育时间均匹配的健康对照者(对照组)，采用听觉条件(S1)-测试(S2)刺激范式，用脑磁图设备记录刺激后产生的感觉门控相关的听觉诱发磁场M₅₀、M₁₀₀、M₂₀₀，并将脑磁图资料叠加到MRI以获得磁源性影像。以S2强度与S1强度的比值表示感觉门控功能的缺失程度，分别记作M₅₀ S2/S1比值、M₁₀₀ S2/S1比值、M₂₀₀ S2/S1比值。同时采用PANSS评定患者的临床症状。

（1）所有受试者诱发的M₅₀、M₁₀₀、M₂₀₀的等效电流偶极位置源均位于双侧颞上回中后部。（2）患者组双侧M₅₀ S2/S1比值（左：0.87±0.39，右：0.82±0.34）高于对照组（左：0.53±0.28，右：0.53±0.34），双侧S2-M₅₀强度［左：（15.47±7.81） nAm，右：(14.26±4.54）nAm］高于对照组［左:（10.38±5.55） nAm，右：(9.76±5.77） nAm］（均P<0.05）。患者组双侧M₁₀₀ S2/S1比值（左：0.98±0.40，右：0.86±0.42）高于对照组（左：0.55±0.22，右：0.52±0.16），双侧S2-M₁₀₀强度［左：（28.17±18.96） nAm，右：（33.36±16.06） nAm］高于对照组［左：（15.93±8.25） nAm，右：（16.07±5.98 ）nAm］（均P<0.05）。患者组左侧M₂₀₀ S2/S1比值（0.95±0.51）高于对照组（0.51±0.22）（P<0.01）。患者组左侧S1-M₅₀潜伏期［（53.44±13.67） ms］短于对照组［（62.46±9.89） ms］（P<0.05）。（3）患者组PANSS总分与双侧M₅₀、M₁₀₀、M₂₀₀比值无相关性（r=-0.351、r=0.206、r=-0.287、r=0.361、r=-0.265、r=-0.093，均P>0.05）。

精神分裂症患者感觉门控缺损可能与颞上回结构和（或）功能异常有关，听感觉门控缺损可能影响了后期注意参与的认知加工处理过程。