栅控单片宽带可变增益放大器

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：uj_mosquito12

【摘要】

：

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,

【作者】

：

彭龙新林金庭魏同立

【机构】

：

南京电子器件研究所,东南大学微电子中心

【出处】

：

稀有金属

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

单片集成电路可变增益赝配高电子迁移率晶体管 microwave monolithic integrated circuit variable gain ps

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报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

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