利用AlxGa1-xN在Si（111）上生长无裂纹GaN

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【摘要】

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利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜（AFM）分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的

【作者】

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【机构】

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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室

【出处】

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电子科技

【发表日期】

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2014年1期

【关键词】

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利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜（AFM）分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.

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