Cu和Pd在TiN表面的置换析出行为及其热力学分析

来源 :稀有金属快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：grchenpk

【摘要】

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由于开发了防止Cu和Si系材料相互扩散的阻隔材料,用铜做配线的大规模集成电路逐渐得到广泛的应用.电镀法形成微细铜配线的工艺是在基板上形成扩散阻隔层后,再用CVD或PVD法镀

【作者】

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【出处】

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稀有金属快报

【发表日期】

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2006年11期

【关键词】

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由于开发了防止Cu和Si系材料相互扩散的阻隔材料,用铜做配线的大规模集成电路逐渐得到广泛的应用.电镀法形成微细铜配线的工艺是在基板上形成扩散阻隔层后,再用CVD或PVD法镀以铜层(称为种层),以此为阴极,其上电析铜配线.

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