【摘 要】
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研究ZnWO4薄膜在DSSCs电池中的光电特性,利用浸渍-提拉法制备ZnWO4薄膜,利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、紫外可见吸收光谱（UV-vis）、电化学阻抗谱（EIS）和电流电压（I-V）等表
【基金项目】
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河南省科技厅科技攻关计划项目（162102210326）,河南省科技厅软科学计划项目（152400410314）, 公安部技术研究计划项目（2016JSYJB38）
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研究ZnWO4薄膜在DSSCs电池中的光电特性,利用浸渍-提拉法制备ZnWO4薄膜,利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、紫外可见吸收光谱（UV-vis）、电化学阻抗谱（EIS）和电流电压（I-V）等表征制备的ZnWO4薄膜的结构,借助BatteryMon软件测试其光电性能。表征结果显示,利用浸渍-提拉法制备的ZnWO4薄膜结晶性能良好,薄膜颗粒均匀,带隙为2.85 eV,是直接带隙半导体。浸渍-提拉法制备ZnWO4薄膜组装的染料敏化太阳电池（DSSCs）短路电流密度达到0.15 mA/cm2,开路电压达到625 mV,电池的光电转换效率为0.037%
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