论文部分内容阅读
利用InGaAs／InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm，腔长1200μm，条宽200μm，填充密度为50%，前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3／5（HfO2／SiO2）／HfO2，室温连续输出功率达到68．5W，器件光谱中心波长为1059nm，光谱宽度（FWHM）为9nm。