【摘 要】
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本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均
【机 构】
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上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所,上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所,上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所,上海交通大学大规模集成电路微细加工研究所
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本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均匀性大为改善,而且使跨导增加,背栅效应减小.文中给出了PB-GaAsMESFET理论特性的计算和工艺设计.
In this paper, P-buried GaAs MESPET (PB-GaAs MESFET) is fabricated by implanting Be into a semi-insulating GaAs substrate and introducing a P-type buried layer into the channel active layer. The experimental results show that the PB-GaAs MESFET not only The uniformity of the pinch-off voltage of the device on the substrate is greatly improved, and the transconductance is increased and the back gate effect is reduced. The theoretical calculation and process design of the PB-GaAsMESFET are given in this paper.
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