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合成了一个新配合物EuL3phen，[HL=4，4，4-三氟-1-（4’-邻三联苯基）-1，3-丁二酮，phen=邻菲咯啉]。该化合物在半导体InGaN芯片发出的近紫外光激发下能够发出铕（Ⅲ）离子特征红光，发光量子效率为9％。将配合物EuL3phen和半导体395nm发射InGaN芯片组合，成功地制备了红色发光二极管。在配合物和硅胶质量比为1：25时，器件色坐标为x=0．6123，y=0．3128，光效为0．68lm·W^-1。