纳米Gd2O3中两种格位Eu^3＋的电荷迁移态激发跃迁

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhoubear

【摘要】

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观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd2O3:Eu3+的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱.受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu3+的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖

【作者】

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刘春旭张家骅吕少哲刘俊业花景田

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春职业技术学院

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2004年2期

【关键词】

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纳米晶三氧化二钆电荷迁移带格位选择激发光谱量子限域效应稀土氧化物发光材料铒离子掺杂 Gd_2O_3 Eu~(3+)nanocrystal cha

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观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd2O3:Eu3+的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱.受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu3+的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性.用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致.通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd2O3:Eu3+中C2和S6格位Eu3+的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C2和S6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合.

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