CVD温度对钽涂层组成、显微组织及形貌的影响

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利用TaCl2-H2-HCl反应体系,采用冷壁式化学气相沉积法(CVD)在钼基体表面沉积钽涂层。通过X射线衍射仪、金像显微镜及扫描电镜等手段,对不同沉积温度下钽涂层的组成、组织及形貌进行了研究。结果表明:在1000~1300℃范围内,钽沉积层的相组成无变化,而对择优生长有一定影响;钽沉积层晶粒尺寸随沉积温度的升高而增大;钽沉积层表面颗粒呈金字塔形多面体且随沉积温度的升高而增大。 The TaCl2-H2-HCl reaction system was used to deposit tantalum coating on the molybdenum substrate by cold wall chemical vapor deposition (CVD). The composition, microstructure and morphology of tantalum coatings at different deposition temperatures were studied by means of X-ray diffraction, metallography and scanning electron microscopy. The results show that there is no change in the phase composition of tantalum deposit from 1000 ℃ to 1300 ℃, but the grain size of tantalum deposit increases with the increase of deposition temperature. Pyramidal polyhedrons increase with increasing deposition temperature.
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