高度有序ZnO-SnO_2异质外延枝状纳米结构的制备及其光催化性质研究

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采用一种简单的热蒸发法制备了高度有序的ZnO-SnO2异质外延枝状纳米结构。制备过程分两步进行:首先,在氧化铝片基底上制备SnO:纳米线;然后,以此Sn02纳米线为模板在其上生长ZnO纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等手段对产物的形貌、结构进行了表征。XRD表征结果证实第一步和第二步生长的产物分别为SnO2和ZnO2SEM观察结果表明,第一步热蒸发得到直径约100nm、长度达几十微米的Sn02纳米线,第二步热蒸发后得到以第一步Sn02纳米线为主干、沿四个方
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