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采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量，提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI（Sillicon On Insulator) 材料，并用该材料成功地研制了双岛－梁－膜结构的SOI高温压力传感器，对SOI压力传感器的测量结果表明，当湿度增加到150℃左右时，输出电压没有明显的变化，其工作温度高于一般的体硅压力传感器（其工作温度一般在120℃以下），测得所制备SOI压力传感器的灵敏度为63mV/(MPa.5V),比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约7倍多。