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利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn0．7Ga0．3Se2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层（Precursor）(In0．7Ga0．3)2Se3生长温度下CuIn0．7Ga0．3Se2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%（测试条件为：AM1．5,1000W/cm2）。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn0．7Ga0．3Se2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。