论文部分内容阅读
在场致发射器件中,发射电流通常会随着工作时间的增加而跌落.发射电流跌落的机理较为复杂.本文模拟分析了一次电子从场致发射发射体表面的发射情况.根据一次电子的电流密度分布和运动轨迹,研究残余气体分子的电离.然后计算正离子在电场中的运动轨迹,利用半经验模型分析不同能量的正离子对发射体表面的损伤情况,最后估计出在不同残余气压和一次电流下发射电流的衰减.