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基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上.
硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用
【摘 要】
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基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模
【机 构】
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深圳研究生院,清华大学,深圳研究生院,清华大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2004年6期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)
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