钼离子注入硅薄层硅化钼的合成

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【摘要】

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用大束流密度的钼金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加，硅化钼生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降，当束流密度为０．５Ａ／ｍ＾２时，Ｒｓ达到上值９０Ω，说明连续的硅化物

【作者】

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张通和吴瑜光

【机构】

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北京师范大学低能核物理研究所

【出处】

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核技术

【发表日期】

：

2000年9期

【关键词】

：

钼离子注入硅硅化钼制备超大规模集成电路 Mo ion implantation Implanted silicon Silicide synthesi

【基金项目】

：

国家自然科学基金,,863基金!（59501004）

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用大束流密度的钼金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加，硅化钼生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降，当束流密度为０．５Ａ／ｍ＾２时，Ｒｓ达到上值９０Ω，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析结果表明，注入层中形成了３种硅化钼Ｍｏ３Ｓｉ、Ｍｏ５Ｓｉ３和ＭｏＳｉ２。经过９００℃退火后，Ｒｓ下降至４Ω，电阻率可小到０．１６μΩ．ｍ，说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束

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