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采用原子镶嵌（EAM）势,利用分子动力学方法研究了单个空位在C u（100）表面及其附近区域扩散分子动力学过程,给出了空位在此表面附近不同层的形成能和迁移能。研究结果表明空位在表面形成能最小,随着层数增加空位形成能也增加,直到表面以下第五层达到体值。对于空位迁移,计算结果表明处于表面层附近的空位容易向上一层迁移直至迁移到表面。