【摘 要】
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利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列，采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上，借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列，利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明，一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀，电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小，随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明，在栅压和阳压分
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院,福建福州350002
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利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列，采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上，借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列，利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明，一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀，电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小，随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明，在栅压和阳压分别为140 V和2000 V，阴极和阳极的距离为1100 μm时，薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮，其器件的最大阳极电流为232 μA，峰值亮度为270 cd/m2，稳定发射400 min，发射电流无明显衰减，表明器件场发射性能良好，具有潜在的应用前景。
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