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论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势,分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况;结合90 nm CMOS工艺设计的超大规模SOC芯片的实践,对纳米CMOS集成电路设计技术进行分析;阐述SOC设计面临的技术难题,并对今后的发展趋势进行了预测.
纳米CMOS集成电路设计技术和发展趋势
【摘 要】
：
论述了日美等国纳米CMOS集成电路半导体制造工艺的现状和发展趋势,分析说明国外半导体制造技术的战略和发展状况;结合90 nm CMOS工艺设计的超大规模SOC芯片的实践,对纳米CMOS
【机 构】
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南开大学
【出 处】
：
微纳电子技术
【发表日期】
：
2004年期
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