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采用0．15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构，并把螺旋型Marchand巴伦（平衡一不平衡变换器）用于本振端和射频端，将单端信号转换成差分信号，极大地缩小了芯片的面积，整块芯片面积为1．5mm×1．35mm。芯片在片测试结果表明混频器性能良好，变频损耗在26—40GHz射频频带范围内为-6．5-～13dB，中频带宽为DC～6GHz，镜像抑制度（IMRR）在18～26dB之间，本振到