【摘 要】
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掺钨氧化铟(In2 O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度
【机 构】
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北京航空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191
【出 处】
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第三届全国大学生创新论坛·2010全国大学生学术年会
论文部分内容阅读
掺钨氧化铟(In2 O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa,氧分压为2.4×10(-1) Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10(-4)10(-4)Ω·cm,最高载流子迁移率为34 cm2 V(-1) s(-1),载流子浓度达到2.9×10(20)cm(-3),可见光平均透射率约为85％,近红外平均透射率大于80％.
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