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提供了一种研究非线性晶体透过率特性的实验（双光束方法）和理论方法。使用这一方法可记录到厚度为１μｍ的单晶片上的时间为１－μｓ范围内的透过率变化，并用计算机模拟了这一过程。
在单晶片CdS<sub>x</sub>Se<sub>1－x</sub>上的非线性特性的研究
【摘 要】
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提供了一种研究非线性晶体透过率特性的实验（双光束方法）和理论方法。使用这一方法可记录到厚度为１μｍ的单晶片上的时间为１－μｓ范围内的透过率变化，并用计算机模拟了这一过程。
【机 构】
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成都电子科技大学高能电子所
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1996年S1期
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