【摘 要】
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采用0.35μm CMOS工艺设计了一款基于建立-向下（set-and-down）偏转过程11-bit1-MS/s的逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）,分析了电容网络的偏转过程。采用本文电容偏转过程的11-bit
【机 构】
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吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院
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采用0.35μm CMOS工艺设计了一款基于建立-向下（set-and-down）偏转过程11-bit1-MS/s的逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）,分析了电容网络的偏转过程。采用本文电容偏转过程的11-bit SAR ADC平均电容偏转能耗比传统的SAR ADC降低了81.25%,且单位电容的总数与传统SAR ADC相比也降低了50%。采用0.35μm 2P3M CMOS工艺对SARADC电路进行了版图绘制,版图尺寸约为705μm×412μm。后仿真结果表明,信号与噪声和失真比达到了66
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