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从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量,计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子,计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论。
ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究
【摘 要】
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从晶体场理论出发,用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量,计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子,计算结果与实验很好地符合,并对结果进行了讨论。
【机 构】
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重庆邮电学院,重庆邮电学院,重庆邮电学院
【出 处】
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重庆邮电学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年02期
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