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1引言目前．能探洲极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展，从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇文章将介绍如何用B1500A半导体器件分析仪进行这类测量，我们通过SRAM失效分析说明这项技术，
SRAM失效分析
【摘 要】
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1引言目前．能探洲极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展，从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇文章将介绍如何用B1500A半导体器件分析仪进行这类测量，我们通过SRAM失
【机 构】
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是德科技
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2017年10期
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