【摘 要】
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利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子效率与腔长的关系．
InGaAsP / InGaP / GaAs single quantum well
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
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利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子效率与腔长的关系．
InGaAsP / InGaP / GaAs single quantum well high power laser was fabricated by LP-MOCVD and the relationship between threshold current density, characteristic temperature and external differential quantum efficiency and cavity length was analyzed.
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