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在小角度V型结构的HL-2M常规偏滤器位形下,采用SOLPS 5.0程序研究了抽气速率Sp对装置粒子排除控制能力及溅射产生的碳杂质分布的影响。模拟结果表明,当进入边缘区域的能量为4MW、上游密度为nsep=3.0×1019m-3靶板电子温度Te的上升和表面材料溅射增强,导致有效电荷量Zeff升高。在抽气速率约为20~40m3·s-1