【摘 要】
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已研究出一种采用光学光刻的新工艺来制作很厚的亚微米栅。用这种工艺已制出了厚-长比(栅厚度/栅长度)大约为19的900A长和1.7μm厚的铝栅。用这种厚-长比大的栅结构已制造出
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已研究出一种采用光学光刻的新工艺来制作很厚的亚微米栅。用这种工艺已制出了厚-长比(栅厚度/栅长度)大约为19的900A长和1.7μm厚的铝栅。用这种厚-长比大的栅结构已制造出栅长短至0.1μm和栅宽达300μm的GaAsMESFET。对于半微米和1/4微米长的铝栅,已分别测得每毫米栅宽的栅电阻为17Ω和37Ω。
A new process using optical lithography has been developed to make very thick sub-micron gratings. By this process, an aluminum grid having a length-length ratio (gate thickness / gate length) of about 19A and a thickness of 1.7 m has been fabricated. GaAsMESFETs having a gate length of up to 0.1 m and a gate width of up to 300 m have been fabricated using such a thick-to-long ratio gate structure. For semi-micron and 1/4 micron long aluminum grids, the gate resistance per millimeter gate width has been separately measured at 17Ω and 37Ω.
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