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研制的永磁组件采用主辅永磁体和匀场技术相结合的改进C型磁路结构,利用计算机仿真技术对组件磁路结构进行验证及优化。仿真分析及实验结果表明：采用这种磁路结构扩大了均匀区的范围,提高了磁场均匀性。按这种结构制造的永磁组件在20mm气隙、中心平面200mm×120mm均匀区内气隙磁通密度达到0.75T,不均匀度为0.67%。另外,也对永磁组件在高低温下的磁性能进行了仿真计算,结果表明：在-55～70℃温度范围内均匀区的气隙磁通密度变化为4%左右。