SEU加固存储单元中的多节点翻转

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wuan461618

【摘要】

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使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU（multiple b

【作者】

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刘必慰郝跃陈书明

【机构】

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国防科技大学计算机学院,西安电子科技大学

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2008年2期

【关键词】

：

多节点翻转加固单元电荷收集 multiple node upset hardened cell charge collection

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使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU（multiple bit upset） ,发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法.

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