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采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了氧化锡的金红石结构.对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为1 3.9cm2/V@s,载流子浓度为15.5×1019cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×103Ω@cm.在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右.