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采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术，在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜，XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内，提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量；在150～220mJ／Pluse入射激光脉冲强度范围内，随着入射激光脉冲强度的提高，GaN薄膜表面结构得到改善，研究发现，在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ／Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下，所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能。