【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2007年第7期报道,日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)与佳能公司合作,成功开发了电路线宽仅为26nm分辨率的小面积曝光设备(SFET),是目前世
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据《Semiconductor FPD World》2007年第7期报道,日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)与佳能公司合作,成功开发了电路线宽仅为26nm分辨率的小面积曝光设备(SFET),是目前世界业内最好水平。SFET采用了EUV曝光技术,研发小组还对掩膜开发、光刻胶评价、EUV光源、投影光学评价进?
According to “Semiconductor FPD World” 2007 the 7th report, Japan’s New Energy Industry Technology Development Agency (NEDO) in cooperation with Canon, the successful development of a circuit area width of only 26nm resolution small area exposure device (SFET) is The world’s best industry level. SFET uses EUV exposure technology, R & D team also mask development, photoresist evaluation, EUV light source, projection optical evaluation into?
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