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采用植酸作为掺杂剂,通过原位化学氧化聚合制备植酸掺杂聚吡咯,并利用扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)仪表征其表面形貌与结构,利用循环伏安(CV)、恒电流充放电(GCD)、交流阻抗(EIS)测试其电化学性能。FTIR结果表明,植酸与吡咯单体间的多重氢键及π-π相互作用有利于导电聚吡咯的成功聚合及有序生长。吡咯单体与植酸的比例最终影响掺杂聚吡咯的微观结构及性能。SEM与XRD结果表明,当吡咯∶植酸的物质的量之比为3∶1时,掺杂聚吡咯(Pyp3)表现为亚微米球相连的三