【摘 要】
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从实现声电互作用的观点来看,有前途的压电半导体器件是弹性表面波的薄膜放大器.放大器用LiNbO_3压电晶体和InSb半导体薄膜(厚度L≈400—500 (?))制作,其上下用SiO膜保护以防
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从实现声电互作用的观点来看,有前途的压电半导体器件是弹性表面波的薄膜放大器.放大器用LiNbO_3压电晶体和InSb半导体薄膜(厚度L≈400—500 (?))制作,其上下用SiO膜保护以防止热处理过程中和放大器工作时扩散入半导体压电晶体成份和InSb的再蒸发.在放大器的结构中InSb膜具有极低的参数,在极少数情况下当L≈500(?)时,其最佳值为:浓度n(?)2.10~(17)cm~(-3),电导率σ≈9-17(Ω·
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