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用等效的偶极子模型模拟集成电路（Ic）的电磁辐射情况。由于Ic的高度通常远远小于其长度和宽度，所以只需要三个偶极矩就足以模拟Ic的电磁发射特性。偶极矩模型可以通过三次TEM小室测量提取出来。
2010 IEEE EMC学术研讨会——获奖文章
【摘 要】
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用等效的偶极子模型模拟集成电路（Ic）的电磁辐射情况。由于Ic的高度通常远远小于其长度和宽度，所以只需要三个偶极矩就足以模拟Ic的电磁发射特性。偶极矩模型可以通过三次TEM小
【出 处】
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安全与电磁兼容
【发表日期】
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2010年5期
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