硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：abby412

【摘要】

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针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、

【作者】

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钟旻张楷亮宋志棠封松林

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年z1期

【关键词】

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化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海-应用材料科技合作共同计划(批准号:AM基金0414),中国博士后科学基金(批准号:2005037522),上海市科委项目(批准号:0552nm043,05JC14076,05R214156,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ22017)和美国S

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针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

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