介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响

来源 :传感技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lxhcoolrr

【摘要】

：

电容式RF MEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因．基于电容式RF MEMS开关工作过程中电场强度的变化，分析讨论了累积电荷的来源，并推导出相应的计算公式．对于随机

【作者】

：

吴银锋万江文于宁

【机构】

：

北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心

【出处】

：

传感技术学报

【发表日期】

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2006年05B期

【关键词】

：

电容式RF MEMS开关可靠性电荷积累寿命 capacitive RF MEMS switches reliability charge accumu

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电容式RF MEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因．基于电容式RF MEMS开关工作过程中电场强度的变化，分析讨论了累积电荷的来源，并推导出相应的计算公式．对于随机性较大的界面极化问题，根据理论计算公式，提出从工艺上减小极化现象发生的解决方案．在讨论影响介质层电荷注入各种因素及相互之间关系的基础上，建立了基于电荷累积的开关寿命预测模型．

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