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采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RHEED衍射花样与STM扫描图片,获得In As量子点表面形貌与生长层数的对应关系,揭示了In As/Ga As量子点的生长变化规律.研究发现,当外延In As厚度在1.7 m L以下时样品保持平整状态,几乎没有出现任何量子点结构;当In As外延厚度超过1.7 m L时,外延层生长模式将从2D模式向3D模式过渡,从而形成In As量子点,证明